技术新知

ASML已经通过验证并出货6台极紫外光(EUV)微影扫描机，且已在多个客户的晶圆厂中完成系统曝光，并展现出稳定的良好效能。
EUV微影持续朝技术成熟与量产方向进展。安装在客户端的系统可为10奈米逻辑晶片与20奈米以下的DRAM产品提供稳定效能。生产力指标持续上升 ─ 已达到每日EUV晶圆曝光量的历史纪录。
浸润式微影制程平台TWINSCAN NXT的最新机种，主要针对高获利的1x奈米制程的新技术节点的量产而设计。
与先前的系统相较，该设备增加一个新的多功能并联式 ILIAS (PARIS) 感应器，可以量测透镜组的效能及光罩温度，配合多区段晶圆台加热器 (multi-sector water table heater) 一起运作时，将有更好的叠对效能 (overlay performance) 表现。
再者，一台全新的紫外线等级感应器 (UV-LS) ，可以改善聚焦控制，并降低晶圆调平 (leveling) 时的制程相倚性的影响。新的高载量晶圆工作台可提升晶圆交换速度与运输流量，而热温控制能力的提升，则一举将微影覆盖叠对与成像效能做大幅度的改善。同时一个附加二氧化碳「气刀 (gas knife) 」的新浸润罩 (immersion hood) ，可以有效的降低不良等级，并且让扫瞄速度一举增加到800 mm/s。
参考艾司摩尔官方网站资料