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  ASML已經通過驗證並出貨6台極紫外光(EUV)微影掃描機,且已在多個客戶的晶圓廠中完成系統曝光,並展現出穩定的良好效能。
  EUV微影持續朝技術成熟與量產方向進展。安裝在客戶端的系統可為10奈米邏輯晶片與20奈米以下的DRAM產品提供穩定效能。生產力指標持續上升 ─ 已達到每日EUV晶圓曝光量的歷史紀錄。浸潤式微影製程平台TWINSCAN NXT的最新機種,主要針對高獲利的1x奈米製程的新技術節點的量產而設計。
  與先前的系統相較,該設備增加一個新的多功能並聯式 ILIAS (PARIS) 感應器,可以量測透鏡組的效能及光罩溫度,配合多區段晶圓台加熱器 (multi-sector water table heater) 一起運作時,將有更好的疊對效能 (overlay performance) 表現。
  再者,一台全新的紫外線等級感應器 (UV-LS) ,可以改善聚焦控制,並降低晶圓調平 (leveling) 時的製程相倚性的影響。新的高載量晶圓工作台可提升晶圓交換速度與運輸流量,而熱溫控制能力的提升,則一舉將微影覆蓋疊對與成像效能做大幅度的改善。同時一個附加二氧化碳「氣刀 (gas knife) 」的新浸潤罩 (immersion hood) ,可以有效的降低不良等級,並且讓掃瞄速度一舉增加到800 mm/s。
參考艾司摩爾官方網站資料

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